国家知识产权局信息显示●◆，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种集成薄膜电阻及其制备方法”的专利▼，公开号CN121419554A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种集成薄膜电阻及其制备方法◆■●，制备方法包括以下步骤☆▷■：S1、对前层工艺中的金属间电介质平坦化后形成氧化层；S2▪☆▲、在氧化层上方进行第一次SiON沉积后形成隔绝层▼；S3、在隔绝层上方依次进行铬硅和TiN沉积，分别形成铬硅层和窗口层后回火；S4、在窗口层上方进行第二次SiON沉积□■●；S5☆▲○、对铬硅薄膜电阻进行宽定义、长定义、集成电路接触孔定义和集成电路引线定义，得到铬硅薄膜电阻□◁。本发明在现有制作方法的基础上对薄膜电阻进行改善▼•，通过该反应制程生成的集成薄膜电阻可以精确控制电阻值，并且相较于扩散电阻和注入电阻具有更低温度系数=◁•。

　　天眼查资料显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司，成立于2001年，位于苏州市，是一家以从事计算机○-…、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本314524□▷◁.57万人民币。通过天眼查大数据分析，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业◇，参与招投标项目20次，财产线条，此外企业还拥有行政许可29个。

　　声明◇□：市场有风险，投资需谨慎☆▼○。本文为AI基于第三方数据生成○▲，仅供参考▷•，不构成个人投资建议■◇◁。

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